Les détecteurs au silicium à micropistes

Les principales caractéristiques géométriques et électriques des détecteurs au silicium à micropistes sont résumées dans le tableau 1.4. Les signaux sur les pistes sont lus à travers une capacité de découplage dont les armatures sont constituées d'une part par des pistes implantées et d'autre part, par les pistes d'aluminium gravées sur le détecteur. L'isolation entre ces deux types de pistes est réalisée par une couche d'oxyde de silicium.

Tableau 1.4: Caractéristiques des détecteurs SSD.

	Caractéristique	Valeur
	Surface totale	75 $\times$ 42 mm$^{2}$
	Epaisseur	300 $\pm$ 15 $\mu m$
Géométrie	Nombre de pistes	768 par face
du	Pas inter-pistes	95 $\mu m$
détecteur	Angle stéréoscopique	35 mrad
	Largeur des pistes	$\simeq$ 15 $\mu m$
	Largeur de l'anneau de garde	< 1mm
	Tension de fonctionnement	< 55 V (10 à 15V au-dessus de la tension de déplétion)
	Tension de claquage du détecteur	> 60 V ou > Tension de fonctionnement
Caractéristiques	Tension de claquage des capacités de découplage	> 100 V ou > 2*Tension de fonctionnement
électriques	Courant de fuite à travers l'anneau de garde	< 5 $\mu$A
	Courant de polarisation	< 2 $\mu$A
	Courant de fuite du détecteur	< 5 nA par piste
	Résistance de polarisation	>10 M$\Omega$
Qualité	Taux de pistes inactives	< 3 % avec un but à 1 %